美东周一的芯片股，开盘气势汹汹，收盘却几乎被"打回原形"。
资金为什么开盘冲进去？
因为 "跌得够深，位置够便宜" 。此前AI与半导体板块经历集中减仓，费城半导体指数自6月底高点回撤超20%，正式迈入技术性熊市。短期的超跌与仓位清空，自然积聚了强烈的超跌反弹需求。MU、SNDK等前期重灾区率先冲锋，带动芯片板块盘中一度涨近4%。
而周末传出Kimi因算力不足暂停接收新用户的消息，恰好给这场资金回补提供了最直接的逻辑支撑。
此前市场普遍担忧：中国低成本AI模型的崛起，是否会削弱全球对高价芯片和AI基础设施的需求？
但 Kimi的"算力挤爆"用事实证明——模型成本下降，绝不等于算力需求减少。 恰恰相反，门槛越低，用户爆发与推理调用的增速就越惊人，最终消耗的算力甚至呈指数级上升。
为什么收盘又跌回来？
因为 "反弹不是反转" ，机构的去杠杆进程远未结束。
高盛 Prime Services 部门负责人 Vincent Lin 指出，对冲基金过去两个月从美国科技股撤离的规模和速度均创下历史纪录，投降迹象已开始浮现。
美股投资网分析认为，这轮回调既有获利了结，更有 投资者对 AI 基础设施支出可持续性的深度重新评估。
此外，随着7月期权到期后做市商"正 Gamma 头寸"下降，标普500的"钉住效应"减弱，日内双向剧烈波动的空间被进一步放大。
随着短线捞底盘释放完毕，高位套牢盘与机构减仓重新占据上风，费城半导体指数最终仅收涨约0.6%，大部分涨幅付之东流。
后市怎么看？
高盛衍生品策略师 Brian Garrett 提醒，当前期权市场的隐含相关性已接近20年来最低，这意味着 "宏观统跌统涨"的阶段结束，"个股逻辑分化"成为主线。
随着标普500约五分之一市值的成分股即将在未来一周集中披露业绩，AI 硬件板块能否真正企稳，将完全取决于各家公司能否用实际业绩超越高企的市场预期。
所以总结一下：
周一的走势，本质上是 "超跌的价格位置 + 被修复的悲观预期" 所引发的一次技术性抽动。
在机构仓位尚未调整到位、巨头财报验证临近的背景下，市场仍处于剧烈震荡的选股分化期，而非趋势性反转。
SPCX短期能守住120美元吗？
SPCX太恐怖了！
这股卖压，机构花 3600万美元 的买盘想托举住 SpaceX 不跌破120美元，结果还是抵挡不住卖方！
这是一张 Level II（二级报价）订单簿截图，显示的是 SPCX 实时买卖盘深度。从这张图中，可以看到一些比较有价值的信息。
最明显的是：BATS挂了293,000股，这是一个巨大的买单。
按照120美元计算：293,000 × 120 ≈ 3516万美元
这说明：
有机构愿意在120.01大量接货，成交量确实放量了，意味着这买单全部被吸收了，然后卖方力气更大，继续冲破120美元，跌到199.6。
美股投资网认为接下来 SPCX 还要继续跌！ 底部在哪？ 加我们小编微信
现在的存储到底如何定价？
存储还是周期股，但周期结构已经变了
现在买方争论的已经不是"存储需求好不好"，而是 美光和闪迪究竟应该按传统周期股定价，还是按AI基础设施成长股定价。
美股投资网认为，两个答案都只对了一半。
存储依然没有摆脱周期属性，但今天的周期已经不是过去那种"手机卖得好—DRAM涨价—厂商扩产—价格崩盘"的单线程循环。
AI在传统库存周期之上，又叠加了一层结构性需求。
从库存见底，到HBM短缺，再到长期锁量
过去几年，存储股经历了三套完全不同的交易逻辑。
第一阶段，市场交易库存见底。 2022年至2023年，PC和手机需求疲软，渠道库存高企，DRAM与NAND价格大跌，三星、SK海力士和美光被迫减产。随着库存逐步去化、价格触底，资金提前交易行业复苏。
第二阶段，市场交易HBM短缺。 HBM需要占用更多晶圆面积，生产工艺、良率和客户认证门槛也更高。随着存储厂商把先进产能转向HBM和服务器产品，普通DRAM供给受到挤压，DDR5、DDR4等传统产品也被动涨价。
第三阶段，市场开始交易长期锁量。 美光最新10-Q显示，公司已经与部分客户签署多年期take-or-pay协议，客户需要承诺特定采购量，多数合同采用固定价格或设置价格上下限。
按照最低采购量和最低价格计算，美光披露的剩余履约义务约为50亿美元；已经签订的战略协议，预计还将带来约220亿美元的客户押金及相关财务承诺。
这意味着部分需求量和价格底线可以被长协提前锁定，存储厂商的盈利可见度明显提高。
但必须强调：
长协锁定的主要是采购量和价格区间，降低了订单波动，却不等于锁定当前的极端利润率。随着新增产能释放、产品结构变化以及客户议价能力回升，实际成交价格和毛利率仍可能回落。
换句话说，长协只是把存储周期变得更稳定、更可预测，并没有消灭供需周期。
所以，判断存储股有没有见顶，不能只看价格是否还在上涨，更要看涨价速度是否已经开始放缓。
涨价仍在继续，但加速度正在放缓
TrendForce预计，2026年第三季度一般型DRAM合约价将环比上涨13%至18%，NAND Flash合约价上涨10%至15%。
单看绝对涨幅，存储基本面依然强劲。但 资本市场真正盯着的是"二阶变化" ：价格虽然还在上涨，涨价速度却已经开始放缓。
经过前几个季度的大幅涨价，PC、手机和消费电子客户的成本承受能力逐渐接近上限。消费需求偏弱、高基数以及部分企业级供给增加，都可能压缩后续涨幅。
因此，存储股接下来交易的不会只是"还在涨价"，而是 这种涨价还能维持多久。
MU与SNDK不能用同一套逻辑定价
当前存储行业需要分层定价，MU与SNDK也不能简单放进同一个篮子。
第一层是HBM。 HBM拥有较高技术壁垒、较长客户认证周期和更强的生态绑定，能够获得明显高于传统存储的结构性成长溢价。但它仍然受到客户资本开支、技术迭代和新增供给影响，并非脱离周期。
第二层是服务器DDR5与企业级SSD。 这部分直接受益于AI推理、数据中心扩建和普通产能向高端产品转移，属于 "结构增长＋价格周期"的叠加。
第三层是消费级NAND、DDR4与低端DRAM。 这些产品依然具有较强的大宗商品属性。一旦涨价压制终端销量，或者新增产能集中释放，价格反转可能非常迅速。
落实到个股：
美光的重估核心是HBM、服务器DRAM、产品组合升级和长期供货协议；
闪迪的核心则是NAND价格、企业级SSD需求与行业供给纪律。
两家公司都受益于AI，但受益路径并不相同。
一句话概括：
存储没有摆脱周期，只是AI抬高了本轮周期的顶部，延长了高利润的持续时间，并为最稀缺的高端产能赋予了成长溢价。
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